Sistema di incisione a ioni reattivi Incisione di materiali a base di silicio semiconduttore Incisione a temperatura normale Analisi dei guasti RIE

Dimensione del campione personalizzabile: supporta dimensioni da 4, 8 e 12 pollici, oltre a varie dimensioni ridotte, con opzioni di personalizzazione.

Opzioni di potenza RF flessibili: la potenza del plasma RF varia da 300W a 1000W, con diverse configurazioni opzionali.

Configurazione multi-gas: supporta fino a 9 gas di processo contemporaneamente, con opzioni personalizzate per i canali dei gas.

Incisione di materiali versatile: adatto per silicio, materiali III-V, II-VI, metalli, materiali organici e materiali bidimensionali come il grafene.

Garanzia di 1 anno: include una garanzia di 12 mesi, con sostituzione dei componenti a costo di acquisto dopo la scadenza.

Certificazione CE: il prodotto soddisfa gli standard di sicurezza e qualità CE per la produzione di semiconduttori.

Controllo completamente automatico: dotato di un sistema di controllo completamente automatico con un solo pulsante per una facile operatività.